SI4542DY-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI4542DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15189 Pieces
Ficha de dados:
SI4542DY-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA (Min)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:25 mOhm @ 6.9A, 10V
Power - Max:2W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SI4542DY-T1-GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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