SI4833ADY-T1-E3
Modelo do Produto:
SI4833ADY-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15868 Pieces
Ficha de dados:
SI4833ADY-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:LITTLE FOOT®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:72 mOhm @ 3.6A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.93W (Ta), 2.75W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:SI4833ADY-T1-E3TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SI4833ADY-T1-E3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:Schottky Diode (Isolated)
Descrição expandida:P-Channel 30V 4.6A (Tc) 1.93W (Ta), 2.75W (Tc) Surface Mount 8-SO
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.6A (Tc)
Email:[email protected]

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