SI4948BEY-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI4948BEY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12405 Pieces
Ficha de dados:
SI4948BEY-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:120 mOhm @ 3.1A, 10V
Power - Max:1.4W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:SI4948BEY-T1-GE3TR
SI4948BEYT1GE3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:15 Weeks
Número de peça do fabricante:SI4948BEY-T1-GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.4A 1.4W Surface Mount 8-SO
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.4A
Email:[email protected]

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