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SI4973DY-T1-GE3
- Modelo do Produto:
- SI4973DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrição:
- MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17844 Pieces
- Ficha de dados:
- SI4973DY-T1-GE3.pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SO |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 23 mOhm @ 7.6A, 10V |
| Power - Max: | 1.1W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | SI4973DY-T1-GE3 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 56nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica FET: | Logic Level Gate |
| Descrição expandida: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.8A 1.1W Surface Mount 8-SO |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição: | MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 5.8A |
| Email: | [email protected] |
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