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SIDC11D60SIC3
- Modelo do Produto:
- SIDC11D60SIC3
- Descrição:
- DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 14550 Pieces
- Ficha de dados:
- SIDC11D60SIC3.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SIDC11D60SIC3, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SIDC11D60SIC3 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.9V @ 4A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 600V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Sawn on foil |
| Velocidade: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 0ns |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | Die |
| Outros nomes: | SP000013868 |
| Temperatura de Operação - Junção: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | SIDC11D60SIC3 |
| Descrição expandida: | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 4A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
| Tipo Diode: | Silicon Carbide Schottky |
| Descrição: | DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 200µA @ 600V |
| Atual - rectificada média (Io): | 4A (DC) |
| Capacitância @ Vr, F: | 150pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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