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SIE836DF-T1-GE3
- Modelo do Produto:
- SIE836DF-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrição:
- MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14246 Pieces
- Ficha de dados:
- SIE836DF-T1-GE3.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SIE836DF-T1-GE3, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SIE836DF-T1-GE3 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 10-PolarPAK® (SH) |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 130 mOhm @ 4.1A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 10-PolarPAK® (SH) |
| Outros nomes: | SIE836DF-T1-GE3TR SIE836DFT1GE3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | SIE836DF-T1-GE3 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 200V 18.3A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (SH) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 200V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 18.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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