SIHP28N60EF-GE3
SIHP28N60EF-GE3
Modelo do Produto:
SIHP28N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19838 Pieces
Ficha de dados:
SIHP28N60EF-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:123 mOhm @ 14A, 10V
Dissipação de energia (Max):250W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:SIHP28N60EF-GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2714pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 28A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:28A (Tc)
Email:[email protected]

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