Comprar SIHP28N60EF-GE3 com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±30V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220AB |
Série: | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 123 mOhm @ 14A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 250W (Tc) |
Embalagem: | Tube |
Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Through Hole |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 22 Weeks |
Número de peça do fabricante: | SIHP28N60EF-GE3 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2714pF @ 100V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 120nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 600V 28A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
Descrição: | MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 28A (Tc) |
Email: | [email protected] |