SPD03N60C3ATMA1
SPD03N60C3ATMA1
Modelo do Produto:
SPD03N60C3ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13054 Pieces
Ficha de dados:
SPD03N60C3ATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 135µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO252-3-1
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.4 Ohm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max):38W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:SP001117760
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:SPD03N60C3ATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-1
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.2A (Tc)
Email:[email protected]

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