SPD09P06PL G
SPD09P06PL G
Modelo do Produto:
SPD09P06PL G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14727 Pieces
Ficha de dados:
SPD09P06PL G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO252-3
Série:SIPMOS®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:250 mOhm @ 6.8A, 10V
Dissipação de energia (Max):42W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:SP000443928
SPD09P06PL G-ND
SPD09P06PLG
SPD09P06PLGBTMA1
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:SPD09P06PL G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:450pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 60V 9.7A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.7A (Tc)
Email:[email protected]

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