Comprar SPI21N10 com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 44µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO262-3-1 |
| Série: | SIPMOS® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 80 mOhm @ 15A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 90W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Outros nomes: | SP000013843 SPI21N10-ND SPI21N10IN SPI21N10X SPI21N10XK |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | SPI21N10 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 865pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 38.4nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 100V 21A (Tc) 90W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 100V 21A TO-262 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 21A (Tc) |
| Email: | [email protected] |