SPI80N06S-08
SPI80N06S-08
Modelo do Produto:
SPI80N06S-08
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
13222 Pieces
Ficha de dados:
SPI80N06S-08.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 240µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO262-3-1
Série:SIPMOS®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes:SP000054055
SP000084809
SPI80N06S08
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SPI80N06S-08
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3660pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:187nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Escorra a tensão de fonte (Vdss):55V
Descrição:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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