SSM3J16CT(TPL3)
SSM3J16CT(TPL3)
Modelo do Produto:
SSM3J16CT(TPL3)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12380 Pieces
Ficha de dados:
SSM3J16CT(TPL3).pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.1V @ 100µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:CST3
Série:π-MOSVI
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8 Ohm @ 10mA, 4V
Dissipação de energia (Max):100mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-101, SOT-883
Outros nomes:SSM3J16CT(TPL3)TR
SSM3J16CTTPL3
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SSM3J16CT(TPL3)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11pF @ 3V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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