SSM3K303T(TE85L,F)
SSM3K303T(TE85L,F)
Modelo do Produto:
SSM3K303T(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19318 Pieces
Ficha de dados:
1.SSM3K303T(TE85L,F).pdf2.SSM3K303T(TE85L,F).pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.6V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TSM
Série:π-MOSVII
RDS ON (Max) @ Id, VGS:83 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):700mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:SSM3K303T(TE85LF)TR
SSM3K303TTE85LF
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SSM3K303T(TE85L,F)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:180pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:3.3nC @ 4V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 2.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.9A (Ta)
Email:[email protected]

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