SSM3K56MFV,L3F
SSM3K56MFV,L3F
Modelo do Produto:
SSM3K56MFV,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15206 Pieces
Ficha de dados:
SSM3K56MFV,L3F.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:VESM
Série:U-MOSVII-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:235 mOhm @ 800mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):150mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-723
Outros nomes:SSM3K56MFV,L3F(B
SSM3K56MFV,L3F(T
SSM3K56MFVL3FTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:SSM3K56MFV,L3F
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:55pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 20V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:800mA (Ta)
Email:[email protected]

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