SSM6N48FU,RF(D
Modelo do Produto:
SSM6N48FU,RF(D
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18025 Pieces
Ficha de dados:
SSM6N48FU,RF(D.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 100µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:US6
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.2 Ohm @ 10mA, 4V
Power - Max:300mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:SSM6N48FURF(D
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SSM6N48FU,RF(D
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:15.1pF @ 3V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA (Ta) 300mW Surface Mount US6
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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