STB120N4F6
STB120N4F6
Modelo do Produto:
STB120N4F6
Fabricante:
ST
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14203 Pieces
Ficha de dados:
STB120N4F6.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4 mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max):110W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:497-10768-2
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:STB120N4F6
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3850pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 40V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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