Comprar STB80NF55L-08-1 com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±16V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | I2PAK |
| Série: | STripFET™ II |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 8 mOhm @ 40A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 300W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Outros nomes: | 497-12542-5 STB80NF55L-08-1-ND STB80NF55L081 |
| Temperatura de operação: | 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | STB80NF55L-08-1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4350pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 100nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 55V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |