STD11N50M2
STD11N50M2
Modelo do Produto:
STD11N50M2
Fabricante:
ST
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13754 Pieces
Ficha de dados:
STD11N50M2.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK
Série:MDmesh™ II Plus
RDS ON (Max) @ Id, VGS:530 mOhm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max):85W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:497-15306-2
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:26 Weeks
Número de peça do fabricante:STD11N50M2
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:395pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 500V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição:MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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