STD4NK60Z-1
STD4NK60Z-1
Modelo do Produto:
STD4NK60Z-1
Fabricante:
ST
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14435 Pieces
Ficha de dados:
STD4NK60Z-1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-Pak
Série:SuperMESH™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2 Ohm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max):70W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:26 Weeks
Número de peça do fabricante:STD4NK60Z-1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:510pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-Pak
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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