STD7NM80-1
STD7NM80-1
Modelo do Produto:
STD7NM80-1
Fabricante:
ST
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14062 Pieces
Ficha de dados:
STD7NM80-1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-Pak
Série:MDmesh™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.05 Ohm @ 3.25A, 10V
Dissipação de energia (Max):90W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes:497-12787-5
STD7NM80-1-ND
STD7NM801
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:STD7NM80-1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:620pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 800V 6.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição:MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.5A (Tc)
Email:[email protected]

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