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STF33N60DM2
- Modelo do Produto:
- STF33N60DM2
- Fabricante:
- ST
- Descrição:
- N-CHANNEL 600 V, 0.105 OHM TYP.,
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16065 Pieces
- Ficha de dados:
- STF33N60DM2.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para STF33N60DM2, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para STF33N60DM2 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | MDmesh™ DM2 |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 130 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 35W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 3-SIP |
| Outros nomes: | 497-16355-5 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 24 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | STF33N60DM2 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1870pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 43.1nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 650V 24A 35W (Tc) Through Hole |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 650V |
| Descrição: | N-CHANNEL 600 V, 0.105 OHM TYP., |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 24A |
| Email: | [email protected] |
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