STL8N10F7
STL8N10F7
Modelo do Produto:
STL8N10F7
Fabricante:
ST
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13430 Pieces
Ficha de dados:
STL8N10F7.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerFlat™ (3.3x3.3)
Série:DeepGATE™, STripFET™ VII
RDS ON (Max) @ Id, VGS:20 mOhm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.5W (Ta), 50W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:497-14991-2
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:STL8N10F7
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 3.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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