STL9N60M2
STL9N60M2
Modelo do Produto:
STL9N60M2
Fabricante:
ST
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17036 Pieces
Ficha de dados:
STL9N60M2.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerFlat™ (5x6)
Série:MDmesh™ II Plus
RDS ON (Max) @ Id, VGS:860 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipação de energia (Max):48W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:497-14970-2
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:STL9N60M2
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:320pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 4.8A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.8A (Tc)
Email:[email protected]

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