STP110N10F7
STP110N10F7
Modelo do Produto:
STP110N10F7
Fabricante:
ST
Descrição:
MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18200 Pieces
Ficha de dados:
STP110N10F7.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:DeepGATE™, STripFET™ VII
RDS ON (Max) @ Id, VGS:7 mOhm @ 55A, 10V
Dissipação de energia (Max):150W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:497-13551-5
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:STP110N10F7
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5500pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 110A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

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