STS10DN3LH5
STS10DN3LH5
Modelo do Produto:
STS10DN3LH5
Fabricante:
ST
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16113 Pieces
Ficha de dados:
STS10DN3LH5.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:STripFET™ V
RDS ON (Max) @ Id, VGS:21 mOhm @ 5A, 10V
Power - Max:2.5W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:497-10011-2
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:STS10DN3LH5
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:475pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4.6nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2.5W Surface Mount 8-SO
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A
Email:[email protected]

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