STS19N3LLH6
STS19N3LLH6
Modelo do Produto:
STS19N3LLH6
Fabricante:
ST
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12751 Pieces
Ficha de dados:
STS19N3LLH6.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.6 mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.7W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:497-12677-2
STS19N3LLH6-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:STS19N3LLH6
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1690pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 15V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 19A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:19A (Tc)
Email:[email protected]

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