STU13N65M2
STU13N65M2
Modelo do Produto:
STU13N65M2
Fabricante:
ST
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18350 Pieces
Ficha de dados:
STU13N65M2.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:IPAK (TO-251)
Série:MDmesh™ M2
RDS ON (Max) @ Id, VGS:430 mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max):110W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes:497-15574-5
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:26 Weeks
Número de peça do fabricante:STU13N65M2
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:590pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 650V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição:MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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