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STU6N65M2
- Modelo do Produto:
- STU6N65M2
- Fabricante:
- ST
- Descrição:
- MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16495 Pieces
- Ficha de dados:
- STU6N65M2.pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | IPAK (TO-251) |
| Série: | MDmesh™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 1.35 Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 60W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Outros nomes: | 497-15044-5 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | STU6N65M2 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 226pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.8nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 650V 4A (Tc) 60W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 650V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 650V 4A IPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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