Comprar STW3N170 com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±30V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Série: | PowerMESH™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 13 Ohm @ 1.3A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 160mW |
Embalagem: | Tube |
Caixa / Gabinete: | 3-SIP |
Outros nomes: | 497-16332-5 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Through Hole |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 18 Weeks |
Número de peça do fabricante: | STW3N170 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 100V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 44nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 1700V (1.7kV) 2.6A (Ta) 160mW Through Hole |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1700V (1.7kV) |
Descrição: | N-CHANNEL 1700 V, 7 OHM TYP., 2. |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
Email: | [email protected] |