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TK100L60W,VQ
- Modelo do Produto:
- TK100L60W,VQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19674 Pieces
- Ficha de dados:
- TK100L60W,VQ.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para TK100L60W,VQ, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para TK100L60W,VQ por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.7V @ 5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-3P(L) |
| Série: | DTMOSIV |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 18 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 797W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-3PL |
| Outros nomes: | TK100L60W,VQ(O TK100L60WVQ |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | TK100L60W,VQ |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 15000pF @ 30V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 360nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | Super Junction |
| Descrição expandida: | N-Channel 600V 100A (Ta) 797W (Tc) Through Hole TO-3P(L) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 100A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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