TK25E06K3,S1X(S
Modelo do Produto:
TK25E06K3,S1X(S
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18900 Pieces
Ficha de dados:
TK25E06K3,S1X(S.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3
Série:U-MOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:18 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:TK25E06K3S1X(S
TK25E06K3S1XS
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:TK25E06K3,S1X(S
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 25A Through Hole TO-220-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:25A
Email:[email protected]

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