TK2P60D(TE16L1,NQ)
Modelo do Produto:
TK2P60D(TE16L1,NQ)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16366 Pieces
Ficha de dados:
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Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.4V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PW-MOLD
Série:π-MOSVII
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.3 Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max):60W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:TK2P60D(TE16L1NQ)
TK2P60DTE16L1NQ
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:TK2P60D(TE16L1,NQ)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:280pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 2A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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