TPC6008-H(TE85L,FM
Modelo do Produto:
TPC6008-H(TE85L,FM
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18402 Pieces
Ficha de dados:
1.TPC6008-H(TE85L,FM.pdf2.TPC6008-H(TE85L,FM.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:VS-6 (2.9x2.8)
Série:U-MOSVI-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:60 mOhm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max):700mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes:TPC6008-H(TE85LFM
TPC6008HTE85LFM
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:TPC6008-H(TE85L,FM
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4.8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 5.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.9A (Ta)
Email:[email protected]

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