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TPH2900ENH,L1Q
- Modelo do Produto:
- TPH2900ENH,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12241 Pieces
- Ficha de dados:
- TPH2900ENH,L1Q.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para TPH2900ENH,L1Q, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para TPH2900ENH,L1Q por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SOP Advance (5x5) |
| Série: | U-MOSVIII-H |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 29 mOhm @ 16.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 78W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerVDFN |
| Outros nomes: | TPH2900ENH,L1Q(M TPH2900ENHL1QTR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | TPH2900ENH,L1Q |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2200pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 200V 33A (Ta) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 200V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 200V 33A SOP8 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 33A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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