TPH3202PD
TPH3202PD
Modelo do Produto:
TPH3202PD
Fabricante:
Transphorm
Descrição:
GAN FET 600V 9A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18733 Pieces
Ficha de dados:
TPH3202PD.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±18V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:350 mOhm @ 5.5A, 8V
Dissipação de energia (Max):65W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:TPH3202PD
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 480V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:9.3nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:GAN FET 600V 9A TO220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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