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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TPH3205WSB
TPH3205WSB
TPH3205WSB
Modelo do Produto:
TPH3205WSB
Fabricante:
Transphorm
Descrição:
GAN FET 650V 36A TO247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17723 Pieces
Ficha de dados:
TPH3205WSB.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.6V @ 700µA
Vgs (Max):±18V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:60 mOhm @ 22A, 8V
Dissipação de energia (Max):125W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:TPH3205WSB
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 400V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 650V 36A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição:GAN FET 650V 36A TO247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:36A (Tc)
Email:[email protected]

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