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TPH3207WS
- Modelo do Produto:
- TPH3207WS
- Fabricante:
- Transphorm
- Descrição:
- GAN FET 650V 50A TO247
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15642 Pieces
- Ficha de dados:
- TPH3207WS.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para TPH3207WS, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para TPH3207WS por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.65V @ 700µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±18V |
| Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-247 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 41 mOhm @ 32A, 8V |
| Dissipação de energia (Max): | 178W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 14 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | TPH3207WS |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2197pF @ 400V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 8V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 650V 50A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 650V |
| Descrição: | GAN FET 650V 50A TO247 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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