TPH3208PS
TPH3208PS
Modelo do Produto:
TPH3208PS
Fabricante:
Transphorm
Descrição:
GAN FET 650V 20A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19150 Pieces
Ficha de dados:
TPH3208PS.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.6V @ 300µA
Vgs (Max):±18V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:130 mOhm @ 13A, 8V
Dissipação de energia (Max):96W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Número de peça do fabricante:TPH3208PS
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 400V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição:GAN FET 650V 20A TO220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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