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US1GHE3/5AT
- Modelo do Produto:
- US1GHE3/5AT
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15468 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.US1GHE3/5AT.pdf2.US1GHE3/5AT.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1V @ 1A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 400V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DO-214AC (SMA) |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 50ns |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | DO-214AC, SMA |
| Outros nomes: | US1GHE3/5AT-ND US1GHE3/5ATGITR US1GHE35AT |
| Temperatura de Operação - Junção: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | US1GHE3/5AT |
| Descrição expandida: | Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 10µA @ 400V |
| Atual - rectificada média (Io): | 1A |
| Capacitância @ Vr, F: | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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