ZXMN2A04DN8TC
ZXMN2A04DN8TC
Modelo do Produto:
ZXMN2A04DN8TC
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13742 Pieces
Ficha de dados:
ZXMN2A04DN8TC.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:700mV @ 250µA (Min)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Power - Max:1.8W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:ZXMN2A04DN8TC
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1880pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:22.1nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SOP
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.9A
Email:[email protected]

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