ZXMN6A11GTA
ZXMN6A11GTA
Modelo do Produto:
ZXMN6A11GTA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14545 Pieces
Ficha de dados:
ZXMN6A11GTA.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-223
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:120 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):2W (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-261-4, TO-261AA
Outros nomes:ZXMN6A11GCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:ZXMN6A11GTA
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:330pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 3.1A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.1A (Ta)
Email:[email protected]

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