Comprar IXFN210N30P3 com BYCHPS
Compre com garantia
IXFN210N30P3
- Modelo do Produto:
- IXFN210N30P3
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descrição:
- MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 13275 Pieces
- Ficha de dados:
- IXFN210N30P3.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IXFN210N30P3, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IXFN210N30P3 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-227B |
| Série: | HiPerFET™, Polar3™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 14.5 mOhm @ 105A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 1500W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IXFN210N30P3 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 16200pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 268nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 300V 192A (Tc) 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 300V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 192A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para IXFN210N30P3
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | inquérito |
|
IXFN210N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B | inquérito |
|
IXFN280N07 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B | inquérito |
|
IXFN24N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B | inquérito |
|
IXFN240N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 | inquérito |
|
IXFN230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 | inquérito |
|
IXFN230N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B | inquérito |
|
IXFN26N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B | inquérito |
|
IXFN26N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B | inquérito |
|
IXFN21N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B | inquérito |
|
IXFN24N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT227B | inquérito |
|
IXFN24N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B | inquérito |
|
IXFN27N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B | inquérito |
|
IXFN20N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | inquérito |
|
IXFN280N085 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B | inquérito |
|
IXFN27N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B | inquérito |
|
IXFN260N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227 | inquérito |
Latest Notícias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers