IXFN24N100
IXFN24N100
Modelo do Produto:
IXFN24N100
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15205 Pieces
Ficha de dados:
IXFN24N100.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-227B
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:390 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max):568W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante:4 Weeks
Número de peça do fabricante:IXFN24N100
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8700pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:267nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 24A 568W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:24A
Email:[email protected]

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