1N5061 TR
1N5061 TR
Modelo do Produto:
1N5061 TR
Fabricante:
Central Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19188 Pieces
Ficha de dados:
1N5061 TR.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.2V @ 1A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):600V
Embalagem do dispositivo fornecedor:GPR-1A
Velocidade:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série:-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:R-1 (Axial)
Outros nomes:1N5061 TR LEAD FREE
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:1N5061 TR
Descrição expandida:Diode Standard 600V 1A Through Hole GPR-1A
Tipo Diode:Standard
Descrição:DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A
Atual - dispersão reversa @ Vr:5µA @ 600V
Atual - rectificada média (Io):1A
Capacitância @ Vr, F:15pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

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