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1N5408G
- Modelo do Produto:
- 1N5408G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19008 Pieces
- Ficha de dados:
- 1N5408G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para 1N5408G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para 1N5408G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1V @ 3A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 1000V (1kV) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DO-201AD |
| Velocidade: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Outros nomes: | 1N5408GOS |
| Temperatura de Operação - Junção: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | 1N5408G |
| Descrição expandida: | Diode Standard 1000V (1kV) 3A Through Hole DO-201AD |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 10µA @ 1000V |
| Atual - rectificada média (Io): | 3A |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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