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1N5811TR
- Modelo do Produto:
- 1N5811TR
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 13848 Pieces
- Ficha de dados:
- 1N5811TR.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para 1N5811TR, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para 1N5811TR por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 875mV @ 4A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 150V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | - |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 30ns |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | B, Axial |
| Outros nomes: | 1N5811 1N5811E3 1N5811E3TR 1N5811E3TR-ND 1N5811TR-ND |
| Temperatura de Operação - Junção: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | 1N5811TR |
| Descrição expandida: | Diode Standard 150V 6A Through Hole |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 5µA @ 150V |
| Atual - rectificada média (Io): | 6A |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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