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1N6080US
- Modelo do Produto:
- 1N6080US
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 19533 Pieces
- Ficha de dados:
- 1N6080US.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.5V @ 37.7A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 100V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | G-MELF (D-5C) |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 30ns |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | SQ-MELF, G |
| Temperatura de Operação - Junção: | -65°C ~ 155°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 7 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | 1N6080US |
| Descrição expandida: | Diode Standard 100V 2A Surface Mount G-MELF (D-5C) |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 10µA @ 100V |
| Atual - rectificada média (Io): | 2A |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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