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1N6625E3
- Modelo do Produto:
- 1N6625E3
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16189 Pieces
- Ficha de dados:
- 1N6625E3.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.95V @ 1.5A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 1100V (1.1kV) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | A, Axial |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 80ns |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | A, Axial |
| Temperatura de Operação - Junção: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | 1N6625E3 |
| Descrição expandida: | Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Through Hole A, Axial |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 1µA @ 1000V |
| Atual - rectificada média (Io): | 1A |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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