1SS403,H3F
1SS403,H3F
Modelo do Produto:
1SS403,H3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 200V 100MA USC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16435 Pieces
Ficha de dados:
1SS403,H3F.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.2V @ 100mA
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):200V
Embalagem do dispositivo fornecedor:USC
Velocidade:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):60ns
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-76, SOD-323
Outros nomes:1SS403,H3F(B
1SS403,H3F(T
1SS403H3FTR
Temperatura de Operação - Junção:125°C (Max)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:1SS403,H3F
Descrição expandida:Diode Standard 200V 100mA Surface Mount USC
Tipo Diode:Standard
Descrição:DIODE GEN PURP 200V 100MA USC
Atual - dispersão reversa @ Vr:1µA @ 200V
Atual - rectificada média (Io):100mA
Capacitância @ Vr, F:3pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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