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2DB1182Q-13
- Modelo do Produto:
- 2DB1182Q-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição:
- TRANS PNP 32V 2A TO252
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14927 Pieces
- Ficha de dados:
- 2DB1182Q-13.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para 2DB1182Q-13, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para 2DB1182Q-13 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 32V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 800mV @ 200mA, 2A |
| Tipo transistor: | PNP |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-252 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 10W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | 2DB1182Q-13DITR 2DB1182Q13 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | 2DB1182Q-13 |
| Frequência - Transição: | 110MHz |
| Descrição expandida: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 2A 110MHz 10W Surface Mount TO-252 |
| Descrição: | TRANS PNP 32V 2A TO252 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 120 @ 500mA, 3V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 1µA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
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